第253章 最大的难点 (1/2)

&ep;&ep;光刻机的制造难度主要在于三大关键设备：光源、双工件台、光刻机镜头。

&ep;&ep;光源方面，毫无疑问z国的世界最强的那个，这个结论从激光武器z国明显领先便能得出。

&ep;&ep;一个小小的光刻机光源，完全难不倒z国的科研人员。

&ep;&ep;双工件台就不太容易了，据说as研发的基于磁悬浮平面电机的双工件台产品，其掩模台的运动控制精度做到了2纳米，大大提升了芯片加工的精度和效率。

&ep;&ep;如此先进的双工件台，外国专家曾傲慢地说：“全世界没有第二家机构能做出来。”

&ep;&ep;然而仅仅过去五年不到，z国菁华大学的一个科研团队，研制的运动精度控制在2纳米左右的双工件台，成功通过了整机验收。

&ep;&ep;关键技术指标达到了国际同类光刻机双工件台技术水平。

&ep;&ep;双工件台也被z国人攻克了。

&ep;&ep;最后就是光刻机镜头，近些年z国光学镜头领域进步飞速，甚至有家民用卫星公司制造的光学卫星，分辨率都达到了1米、0.5米，地面的航母、军舰、车辆一览无余，甚至可以拍摄正在起飞的飞机，拍摄火箭发射画面，清晰度令人吃惊。

&ep;&ep;民用光学卫星的表现已如此夸张，军用当然更不得了。

&ep;&ep;这反映出的，是z国在光学镜头领域的进步。

&ep;&ep;光刻机镜头自然也难不倒z国的科研人员。

&ep;&ep;所以光源、双工件台、光刻机镜头这三大用于制造光刻机的核心设备，z国已全部掌握。

&ep;&ep;这正是as公司放开对z国光刻机销售的原因……严厉的封锁，光刻机领域，只会导致z国以更快速度取得突破。

&ep;&ep;兔子被逼急了，会要你的命。

&ep;&ep;而z国的光刻机至今没有赶上国外最先进水平，一方面是市场份额被人牢牢把控；其次走相同的技术路线，会不可避免地侵犯到as的知识产权，引发专利官司。

&ep;&ep;再加上一些关键设备的禁售。

&ep;&ep;国产光刻机的发展始终不温不火。

&ep;&ep;即便如此，为了绕开国外的专利壁垒，z科院光电所另辟蹊径，研制了一款全新的光刻机——

&ep;&ep;超分辨纳米光刻机。

&ep;&ep;这种光刻机采用了与传统光刻设备完全不同的技术路线，利用365纳米波长的近紫外光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米，结合多重曝光技术后，可用于制造10~9纳米级别的芯片。

&ep;&ep;而这款光刻设备，使用的是波长更长、更普通的紫外光，在普通环境下便能完成光刻，意味着国产光刻机使用低成本光源，实现了更高分辨力的光刻。

&ep;&ep;制造成本只有as公司光刻机的几分之一，乃至十几分之一。

&ep;&ep;技术原理层面的突破，更是相当于别人在开山修路的时候，你打通了一条隧道。

&ep;&ep;不过超分辨纳米光刻机虽好，却也存在一个较为严重的缺陷。

&ep;&ep;那就是曝光时间过长。

&ep;&ep;尤其实在芯片领域，euv光刻机曝光15秒便能完成的任务，超分辨光刻机需要十多天。

&ep;&ep;更加形象的比喻是，传统光刻机是直接拍出一张照片，超分辨光刻则是拿一支笔，慢慢画出一张图片……效率差别巨大。

&ep;&ep;……

&ep;&ep;商海微电子公司。

&ep;&ep;来到这家公司调研的陈今，看到了面前这台22纳米超分辨光刻机，听了该公司的老总张昱明的介绍后。

&ep;&ep;“你说这么好的设备，不能用于芯片的制造，为什么不能？”

&ep;&ep;陈今皱着眉头，这太可惜了吧。

&ep;&ep;“不是不能，而是太慢！我们想了各种办法提高它的曝光效率，但曝光一张影刻，依然需要五天的时间，效率是传统光刻几万分之一，这完全抵消了我们的成本优势，只适合给一些较小规模的市场，比如军用芯片、光学器件、高精密光栅、光子晶体阵列等等，这些领域我们的超分辨光刻机卖了几十台。”

&ep;&ep;“但大规模的芯片制造，只能老老实实地发展传统光刻。”

&ep;&ep;张昱明摇着头道。

&ep;&ep;目前商微电子的10n刻机，走的就是193n源浸没式光刻路线，但制造成本太高，没有市场竞争力，又面临着as的专利壁垒，故而没有推向市场。

&ep;&ep;euv光刻方面，商微电子与国内很多机构合作，取得了一定的突破，但也面临专利方面的问题。

&ep;&ep;很多高精尖设备，不是说z国人打破不了垄断